JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士(マテリアルサイエンス)・修士(材料科学) >
M-MS. 2011年度(H23) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/10369
|
タイトル: | AlGaN/GaN電界効果トランジスタおよびショットキーダイオードにおける低周波揺らぎ |
著者: | 四郎園, 政隆 |
著者(別表記): | しろうぞの, まさたか |
キーワード: | AlGaN/GaN 電界効果トランジスタ AlGaN/GaN field-effect transistor AlGaN/GaN ショットキーダイオード AlGaN/GaN Schottky diode 低周波ゆらぎ Low-frequency fluctuation |
発行日: | Mar-2012 |
記述: | Supervisor:鈴木寿一 准教授 マテリアルサイエンス研究科 修士 |
タイトル(英語): | Low-frequency fluctuation in AlGaN/GaN field-effect transistor and Schottky diode |
著者(英語): | Shirouzono, Masataka |
言語: | jpn |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/10369 |
出現コレクション: | M-MS. 2011年度(H23) (Jun.2011 - Mar.2012)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|