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i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2011年度(H23) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/10377

タイトル: AlN/GaAsおよびAlN/Ge/GaAs 構造における容量周波数分散の温度依存性
著者: 丹下, 健
著者（別表記）: たんげ, たけし
キーワード: 容量周波数分散
界面準位
発行日: Mar-2012
記述: Supervisor:鈴木　寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士
タイトル（英語）: AlN/GaAsおよびAlN/Ge/GaAs 構造における容量周波数分散の温度依存性
著者（英語）: Tange, Takeshi
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10377
出現コレクション:M-MS. 2011年度(H23) (Jun.2011 - Mar.2012)

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