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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2011年度(H23) >
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http://hdl.handle.net/10119/10385
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| タイトル: | III-V族化合物半導体デバイスプロセスにおけるAlN絶縁膜の応用に関する研究 |
| 著者: | 工藤, 昌宏 |
| 著者（別表記）: | くどう, まさひろ |
| キーワード: | AlN/GaAs(001)
AlN/InAs(001)
スパッタ堆積
XPS
C-V特性
周波数分散
界面準位
Ge界面制御中間層 |
| 発行日: | Mar-2012 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木寿一
マテリアルサイエンス研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Applications of AlN insulator films in III-V compound semiconductor device processes |
| 著者（英語）: | Kudo, Masahiro |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/10385 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2011年度(H23) (Jun.2011 - Mar.2012)
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