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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/10385

Title: III-V族化合物半導体デバイスプロセスにおけるAlN絶縁膜の応用に関する研究
Authors: 工藤, 昌宏
Authors(alternative): くどう, まさひろ
Keywords: AlN/GaAs(001)
AlN/InAs(001)
スパッタ堆積
XPS
C-V特性
周波数分散
界面準位
Ge界面制御中間層
Issue Date: Mar-2012
Description: Supervisor: 鈴木寿一
マテリアルサイエンス研究科
博士
Title(English): Applications of AlN insulator films in III-V compound semiconductor device processes
Authors(English): Kudo, Masahiro
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/10385
Appears in Collections:D-MS. 2011年度(H23) (Jun.2011 - Mar.2012)

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