|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2014年度(H26) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/12730
|
| タイトル: | AlTiO/InAlN/AlN/GaN金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるゲートリーク電流の伝導機構 |
| 著者: | 梁, 吉慶 |
| 著者（別表記）: | りょう, きっけい |
| キーワード: | AlTiO
GaN
InAlN |
| 発行日: | Mar-2015 |
| 記述: | Supervisor:鈴木寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication and characterization of AlTiO/InAlN/AlN/GaN field-effect transistor |
| 著者（英語）: | LIANG, Jiqing |
| 言語: | |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/12730 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2014年度(H26) (Jun.2014 - Mar.2015)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
