JAIST Repository >
k. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
k20. 学位論文 >
D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 平成26年度 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/12772

タイトル: n型結晶シリコン用高品質Cat-CVD窒化シリコンパッシベーション層の開発とその裏面コンタクト結晶シリコン太陽電池への応用
著者: Trinh, Thi Cham
著者(別表記): とりん, てぃ ちゃむ
キーワード: Catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD)
Phosphorus Cat-doping
surface recombination velocity
silicon nitride (SiNx)
passivation quality
発行日: Mar-2015
記述: Supervisor:大平 圭介
マテリアルサイエンス研究科
博士
タイトル(英語): Development of high-quality Cat-CVD SiNx passivation layer for n-type c-Si and its application to back-contact c-Si solar cells
著者(英語): Trinh, Thi Cham
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/12772
学位授与番号: 甲第866号
学位授与年月日: 2015-03-20
学位名: 博士(マテリアルサイエンス)
学位授与機関: 北陸先端科学技術大学院大学
出現コレクション:D-MS. 平成26年度 (Jun.2014 - Mar.2015)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
abstract.pdf英文要旨11KbAdobe PDF見る/開く
paper.pdf本文11070KbAdobe PDF見る/開く
summary.pdf内容の要旨及び論文審査の結果の要旨239KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係