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D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2014年度(H26) >
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http://hdl.handle.net/10119/12772
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タイトル: | n型結晶シリコン用高品質Cat-CVD窒化シリコンパッシベーション層の開発とその裏面コンタクト結晶シリコン太陽電池への応用 |
著者: | Trinh, Thi Cham |
著者(別表記): | とりん, てぃ ちゃむ |
キーワード: | Catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) Phosphorus Cat-doping surface recombination velocity silicon nitride (SiNx) passivation quality |
発行日: | Mar-2015 |
記述: | Supervisor:大平 圭介 マテリアルサイエンス研究科 博士 |
タイトル(英語): | Development of high-quality Cat-CVD SiNx passivation layer for n-type c-Si and its application to back-contact c-Si solar cells |
著者(英語): | Trinh, Thi Cham |
言語: | eng |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/12772 |
学位授与番号: | 甲第866号 |
学位授与年月日: | 2015-03-20 |
学位名: | 博士(マテリアルサイエンス) |
学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
出現コレクション: | D-MS. 2014年度(H26) (Jun.2014 - Mar.2015)
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記述 |
サイズ | 形式 |
abstract.pdf | 英文要旨 | 11Kb | Adobe PDF | 見る/開く | paper.pdf | 本文 | 11070Kb | Adobe PDF | 見る/開く | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 239Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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