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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/13691

Title: エピタキシャルシリセンの形成機構解明
Other Titles: Elucidation of the formation mechanisms of epitaxial silicene
Authors: フロランス, アントワーヌ
Authors(alternative): Fleurence, Antoine
Keywords: シリセン
Issue Date: 9-Jun-2016
Abstract: 二次元材料はその柔軟さと素子の小型化を可能にする低次元性から、電子工学分野への応用に高い関心が寄せられている。シリセンは最近発見された二次元状Siであり、その座屈した蜂の巣構造に由来する電子的性質から大いに期待されている。だが、極限られた導電性基板上にしか形成されていないことがシリセンの応用を阻んでいる。絶縁性基板上に形成するために必要な表面の性質を知るために、Si基板上二ホウ化ジルコニウム薄膜上へのシリセンの自発形成過程について調べた。この系はまた、熱的安定性を調べるのに適しており、シリセンの構造の温度依存性を明らかにする実験から、座屈構造に由来する機械的性質について貴重な知見が得られた。 : In reason of their flexibility and their low-dimensionality that allows for the miniaturization of the devices, two-dimensional materials are of high interest for applications in electronics. Silicene is a recently discovered two-dimensional form of silicon with great expectation for applications owing to the electronic properties originating from its buckled structure. However, silicone needs to be stabilized by a substrate and was observed only on top of a very few number of conductive materials, that hinders its use in electronic devices. The spontaneous formation of silicene on top of Zr diboride thin films grown on Si(111) was investigated in order to get hints on the surface properties required to synthetize silicene on insulating substrates. This form of silicene is also a perfect template to study the thermal stability of silicene. The temperature dependence of its structure gave very insightful information on the mechanical properties of silicene deriving from the bucklin
Description: 若手研究(B)
Language: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/13691
Appears in Collections:平成27年度 (FY 2015)

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