|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2016年度(H28) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/14201
|
| タイトル: | AlTiO絶縁膜を用いた低誘電率基板上InAsチャネルFETの作製 |
| 著者: | 森, 涼介 |
| 著者（別表記）: | もり, りょうすけ |
| キーワード: | 異種材料融合集積
族化合物半導体
high-k 絶縁体
heterogeneous integrationⅢ-Ⅴ
III-V compound semiconductor
high-k insulator |
| 発行日: | Mar-2017 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of InAs channel FET using AlTiO insulator on low-k substrates |
| 著者（英語）: | Mori, Ryousuke |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/14201 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2016年度(H28) (Jun.2016 - Mar.2017)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
