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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2016年度(H28) >
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http://hdl.handle.net/10119/14201
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| タイトル: | AlTiO絶縁膜を用いた低誘電率基板上InAsチャネルFETの作製 |
| 著者: | 森, 涼介 |
| 著者（別表記）: | もり, りょうすけ |
| キーワード: | 異種材料融合集積
heterogeneous integration
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体
III-V compound semiconductor
high-k 絶縁体
high-k insulator |
| 発行日: | Mar-2017 |
| 記述: | Supervisor:鈴木 寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of InAs channel FET using AlTiO insulator on low-k substrates |
| 著者（英語）: | Mori, Ryousuke |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/14201 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2016年度(H28) (Jun.2016 - Mar.2017)
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