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M-MS. 2017年度(H29) >
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http://hdl.handle.net/10119/15221
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| タイトル: | Al2O3あるいはAlTiOゲート絶縁膜を用いた AlGaN/GaN 金属-絶縁体-半導体(MIS)デバイスにおける界面電荷エンジニアリング |
| 著者: | 大槻, 圭生 |
| 著者（別表記）: | おおつき, けいせい |
| キーワード: | 界面固定電荷
interface fixed charge
AlGaN/GaN
Al2O3
AlTiO |
| 発行日: | Mar-2018 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Interface fixed charge engineering in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with Al2O3 or AlTiO gate insulator |
| 著者（英語）: | Ohtsuki, Keisei |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/15221 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)
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