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タイトル: 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタリングによるアモルファスAlN絶縁膜を用いた AlGaN/GaN MIS-FETの作製と評価
著者: 夏, 海旭
著者(別表記): か, かいきょく
キーワード: 電子サイクロトロン共鳴
ECR
アモルファスAlN
MIS devices
FET
発行日: Mar-2018
記述: Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス)
タイトル(英語): Fabrication and characterization of AlN/AlGaN/GaN MIS devices with ECR-sputtered AlN gate dielectric
著者(英語): Xia, Haixu
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/15223
出現コレクション:M-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)

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