|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2017年度(H29) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/15223
|
| タイトル: | 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタリングによるアモルファスAlN絶縁膜を用いた AlGaN/GaN MIS-FETの作製と評価 |
| 著者: | 夏, 海旭 |
| 著者（別表記）: | か, かいきょく |
| キーワード: | 電子サイクロトロン共鳴
ECR
アモルファスAlN
MIS devices
FET |
| 発行日: | Mar-2018 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Fabrication and characterization of AlN/AlGaN/GaN MIS devices with ECR-sputtered AlN gate dielectric |
| 著者（英語）: | Xia, Haixu |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/15223 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
