JAIST Repository >
JAIST >
Theses >
Doctor of Philosophy(Materials Science) >
H29) (Jun.2017 - Mar.2018 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/15327

Title: GaAs(111)B上に分子線エピタキシャル成長したMnAs/Ⅲ-As複合構造の横型スピントロニクス素子応用
Authors: Islam, Md. Earul
Authors(alternative): いすらむ, えむでぃー やーるる 
Keywords: Molecular beam epitaxy (MBE)
MnAs
InAs
GaAs(111)B
Magnetic properties
Electrical properties
Lateral spin valve
Issue Date: Mar-2018
Description: Supervisor:赤堀 誠志
マテリアルサイエンス研究科
博士
Title(English): Lateral spintronic device application of molecular beam epitaxial grown MnAs/Ⅲ-As hybrid structures on GaAs(111)B
Authors(English): Islam, Md. Earul
Language: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/15327
Academic Degrees and number: 甲第1058号
Degree-granting date: 2018-03-23
Degree name: 博士(マテリアルサイエンス)
Degree-granting institutions: 北陸先端科学技術大学院大学
Appears in Collections:D-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)

Files in This Item:

File Description SizeFormat
abstract.pdf英文要旨180KbAdobe PDFView/Open
paper.pdf本文4572KbAdobe PDFView/Open
summary.pdf内容の要旨及び論文審査の結果の要旨309KbAdobe PDFView/Open

All items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved.

 


Contact : Library Information Section, Japan Advanced Institute of Science and Technology