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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2020年度(R02) >
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http://hdl.handle.net/10119/17216
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| タイトル: | フラックス法により合成した安四面銅鉱型Ag3P6Si3Sn2単結晶の成長メカニズムと 電子・フォノン輸送の第一原理解析 |
| 著者: | 阿部, 大介 |
| 著者（別表記）: | あべ, だいすけ |
| キーワード: | フラックス法
flux method
単結晶
single crystals
リン化物
phosphide
第一原理計算
first-principles calculation |
| 発行日: | Mar-2021 |
| 記述: | Supervisor: 小矢野 幹夫
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Growth mechanism of tetrahedrite-type Ag3P6Si3Sn2 single crystals synthesized by flux method and first-principle analysis of electron and phonon transport properties |
| 著者（英語）: | Abe, Daisuke |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/17216 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)
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