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M-MS. 2020年度(R02) >
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http://hdl.handle.net/10119/17223
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| タイトル: | AlNゲート絶縁膜とゲートリセスを用いたAlN/AlGaN/GaN MISデバイスの閾値電圧制御 |
| 著者: | 新村, 純平 |
| 著者（別表記）: | しむら, じゅんぺい |
| キーワード: | 閾値電圧
Threshold voltage
ゲートリセス
Gate recess
界面固定電荷
Interface fixed charge |
| 発行日: | Mar-2021 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス) |
| タイトル（英語）: | Threshold-voltage control of AlN/AlGaN/GaN MIS devices by using AlN gate insulators and gate recess |
| 著者（英語）: | Shimura, Jumpei |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/17223 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)
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