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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/17488

Title: 溶液プロセスにより形成したイットリウムドープ酸化フニウム-ジルコニウムを用いた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタの研究
Authors: MOHIT
Authors(alternative): もひーと
Keywords: Ferroelectric Hafnium dioxide
oxide channel
Ferroelectric Gate Transistor
solution process
thin films
Issue Date: Mar-2021
Description: Supervisor:德光 永輔
先端科学技術研究科
博士
Title(English): Investigation of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Transistor using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Oxide Fabricated by Solution Process
Authors(English): MOHIT
Language: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/17488
Academic Degrees and number: 甲第1252号
Degree-granting date: 2021-03-24
Degree name: 博士(マテリアルサイエンス)
Degree-granting institutions: 北陸先端科学技術大学院大学
Appears in Collections:D-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)

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