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タイトル: 溶液プロセスにより形成したイットリウムドープ酸化フニウム-ジルコニウムを用いた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタの研究
著者: MOHIT
著者(別表記): もひーと
キーワード: Ferroelectric Hafnium dioxide
oxide channel
Ferroelectric Gate Transistor
solution process
thin films
発行日: Mar-2021
記述: Supervisor: 德光 永輔
先端科学技術研究科
博士
タイトル(英語): Investigation of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Transistor using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Oxide Fabricated by Solution Process
著者(英語): MOHIT
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/17488
学位授与番号: 甲第1252号
学位授与年月日: 2021-03-24
学位名: 博士(マテリアルサイエンス)
学位授与機関: 北陸先端科学技術大学院大学
出現コレクション:D-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)

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