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D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2020年度(R02) >
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http://hdl.handle.net/10119/17488
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タイトル: | 溶液プロセスにより形成したイットリウムドープ酸化フニウム-ジルコニウムを用いた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタの研究 |
著者: | Mohit |
著者(別表記): | もひーと |
キーワード: | Ferroelectric Hafnium dioxide oxide channel Ferroelectric Gate Transistor solution process thin films |
発行日: | Mar-2021 |
記述: | Supervisor: 德光 永輔 先端科学技術研究科 博士 |
タイトル(英語): | Investigation of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Transistor using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Oxide Fabricated by Solution Process |
著者(英語): | Mohit |
言語: | eng |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/17488 |
学位授与番号: | 甲第1252号 |
学位授与年月日: | 2021-03-24 |
学位名: | 博士(マテリアルサイエンス) |
学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
出現コレクション: | D-MS. 2020年度(R02) (Jun.2020 - Mar.2021)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
abstract.pdf | 要旨 | 561Kb | Adobe PDF | 見る/開く | paper.pdf | 本文 | 8499Kb | Adobe PDF | 見る/開く | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 1214Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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