JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士(マテリアルサイエンス)・修士(材料科学) >
M-MS. 2021年度(R03) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/17675

タイトル: 原子層堆積AlTiO/(リセス)AlGaN界面における固定電荷の生成機構
著者: 下田, 剛也
著者(別表記): しもだ, たけや
キーワード: AlTiO
発行日: Mar-2022
記述: Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス)
タイトル(英語): Atomic layer deposition AlTiO/(recess)AlGaN interface fixed charge generation mechanism
著者(英語): Shimoda, Takeya
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/17675
出現コレクション:M-MS. 2021年度(R03) (Jun.2021 - Mar.2022)

このアイテムのファイル:

このアイテムに関連するファイルはありません。

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係