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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2024年度(R06) >
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http://hdl.handle.net/10119/19335
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| タイトル: | 金属-半導体界面層あるいは絶縁体-半導体界面層を用いたAlGaN/GaNデバイスの閾値電圧制御 |
| 著者: | DENG, YUCHEN |
| 著者（別表記）: | でん, ゆうじん |
| キーワード: | AlGaN/GaN device
interfacial layer
threshold voltage control
vacuum level step
fixed charge |
| 発行日: | Jun-2024 |
| 記述: | Supervisor: 鈴木 寿一
先端科学技術研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Threshold voltage modulation in AlGaN/GaN devices using metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers |
| 著者（英語）: | DENG, YUCHEN |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/19335 |
| 学位授与番号: | 甲第1478号 |
| 学位授与年月日: | 2024-06-24 |
| 学位名: | 博士(マテリアルサイエンス) |
| 学位授与機関: | 北陸先端科学技術大学院大学 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2024年度(R06) (Jun.2024 - Mar.2025)
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このアイテムのファイル:
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記述 |
サイズ | 形式 |
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| abstract.pdf | 要旨 | 12Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | paper.pdf | 本文 | 19221Kb | Adobe PDF | 見る/開く | | summary.pdf | 内容の要旨及び論文審査の結果の要旨 | 221Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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