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タイトル: AlGaN/GaNヘテロ構造に対するドライエッチングとデジタルウェットエッチングの組み合わせによる完全リセスオーミック電極の作製と評価
著者: CAO, HONGZHI
著者(別表記): そう, こうし
発行日: Mar-2026
記述: Supervisor:鈴木 寿一
先端科学技術研究科
修士(マテリアルサイエンス)
タイトル(英語): Ohmic contacts to recessed AlGaN/GaN heterostructures obtained by combination of dry and digital-wet etching
著者(英語): CAO, HONGZHI
言語: eng
URI: https://hdl.handle.net/10119/20460
出現コレクション:M-MS. 2025年度(R07) (Jun.2025 - Mar.2026)

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