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D-MS. 平成11年度 >

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タイトル: Ge-GaAsヘテロバレント半導体量子ドット構造の作製と輸送現象の研究
著者: 稲田, 貢
著者(別表記): いなだ, みつる
キーワード: Ge-GaAsヘテロバレント接合,クーロンブロッケイド,量子ドット
Ge-GaAs heterovalent junction, Coulomb blockade ef
発行日: Mar-2000
記述: 
山田省二
材料科学研究科
博士
タイトル(英語): Fabrication and low temperature hole transport in Ge-GaAs heterovalent lateral narrow junctions
著者(英語): Inada, Mitsuru
URI: http://hdl.handle.net/10119/2087
出現コレクション:D-MS. 平成11年度 (Jun.1999 - Mar.2000)

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