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http://hdl.handle.net/10119/2106
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| タイトル: | InGaAsベース狭バンドギャップヘテロ接合の分子線エピタキシ成長 |
| 著者: | 牛頭, 信一郎 |
| 著者（別表記）: | ごず, しんいちろう |
| キーワード: | 分子線エピタキシ, 歪み緩和層, 逆ステップ歪み緩和層, 変調ドープヘテロ接合, 共鳴トンネルダイオード, ゼロ磁場スピン分離
Molecular Beam Epitaxy, strain relaxation layer, i |
| 発行日: | Mar-2001 |
| 記述: |
山田省二
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Molecular beam epitaxy growth of InGaAs based narrow band gap heterojunctions |
| 著者（英語）: | Gozu, Shin-ichiro |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2106 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2000年度(H12) (Jun.2000 - Mar.2001)
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