JAIST Repository >
JAIST >
Theses >
Doctor of Philosophy(Materials Science) >
H12) (Jun.2000 - Mar.2001 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/2106

Title: InGaAsベース狭バンドギャップヘテロ接合の分子線エピタキシ成長
Authors: 牛頭, 信一郎
Authors(alternative): ごず, しんいちろう
Keywords: 分子線エピタキシ, 歪み緩和層, 逆ステップ歪み緩和層, 変調ドープヘテロ接合, 共鳴トンネルダイオード, ゼロ磁場スピン分離
Molecular Beam Epitaxy, strain relaxation layer, i
Issue Date: Mar-2001
Description: 
山田省二
材料科学研究科
博士
Title(English): Molecular beam epitaxy growth of InGaAs based narrow band gap heterojunctions
Authors(English): Gozu, Shin-ichiro
URI: http://hdl.handle.net/10119/2106
Appears in Collections:D-MS. 2000年度(H12) (Jun.2000 - Mar.2001)

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

All items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved.

 


Contact : Library Information Section, Japan Advanced Institute of Science and Technology