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D-MS. 2001年度(H13) >
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http://hdl.handle.net/10119/2116
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| タイトル: | エピタキシャル強誘電体薄膜を用いたメモリ構造の作製 |
| 著者: | 堀井, 貞義 |
| 著者（別表記）: | ほりい, さだよし |
| キーワード: | エピタキシャル，強誘電体, PZT, Ir, ZrN, YSZ, Si
epitaxial, ferroelectric, PZT, Ir, ZrN, YSZ, Si |
| 発行日: | Sep-2001 |
| 記述: |
Supervisor:堀田 将
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of Memory Structure with Ferroelectric Thin Film |
| 著者（英語）: | Horii, Sadayoshi |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2116 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2001年度(H13) (Jun.2001 - Mar.2002)
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記述 |
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| 1513abstract.pdf | | 19Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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