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D-MS. 2003年度(H15) >

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タイトル: Study on ferroelectric gate field effect transistor memory with an additional electrode for data writing
著者: TRAN, DANG KHOA
発行日: Sep-2003
記述: 
Supervisor:堀田 將
材料科学研究科
博士
タイトル(英語): Study on ferroelectric gate field effect transistor memory with an additional electrode for data writing
著者(英語): TRAN, DANG KHOA
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/2149
出現コレクション:D-MS. 2003年度(H15) (Jun.2003 - Mar.2004)

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