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D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2004年度(H16) >
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http://hdl.handle.net/10119/2168
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| タイトル: | Study of metal-insulator transition of the quasi-two-dimensional hole system in the delta-doped GaAs structures |
| 著者: | Jung-Pil, NOH |
| キーワード: | MBE, LT-GaAs, delta-doping, strong localization, percolation
MBE, LT-GaAs, delta-doping, strong localization, p |
| 発行日: | Sep-2004 |
| 記述: |
Supervisor:奈 癸聶・
材料科学研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Study of metal-insulator transition of the quasi-two-dimensional hole system in the delta-doped GaAs structures |
| 著者（英語）: | Jung-Pil, NOH |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2168 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2004年度(H16) (Jun.2004 - Mar.2005)
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記述 |
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