|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
D-MS. 博士(マテリアルサイエンス)・博士(材料科学) >
D-MS. 2005年度(H17) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/2191
|
| タイトル: | MBE低温成長GaAs構造における光励起キャリア捕獲過程の研究 |
| 著者: | 荒谷, 毅 |
| 著者(別表記): | あらや, たけし |
| キーワード: | 分子線エピタキシー MBE低温成長GaAs フォトルミネッセンス ポンププローブ法 MBE LT-GaAs Photoluminessence Pump-probe |
| 発行日: | Jun-2005 |
| 記述: | Supervisor:大塚 信雄 材料科学研究科 博士 |
| タイトル(英語): | Study of the relaxation process of photo-excited carriers in LT-GaAs structures |
| 著者(英語): | Araya, Takeshi |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2191 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2005年度(H17) (Jun.2005 - Mar.2006)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
| 2713abstract.pdf | | 151Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|