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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1997年度(H09) >
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http://hdl.handle.net/10119/2435
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| タイトル: | Cat-CVD法によるゲート絶縁層の低温形成 |
| 著者: | 一瀬, 晃之 |
| 著者（別表記）: | いちせ, てるひさ |
| キーワード: | 触媒CVD法,ゲート絶縁層,TFT,SiN_x,SiO_2
Cat-CVD system,gate insulator,TFT,SiN_x,SiO_2 |
| 発行日: | Mar-1998 |
| 記述: |
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Low-tempearture Formation of Gate Insulator Produced by a Cat-CVD System |
| 著者（英語）: | Ichise, Teruhisa |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2435 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1997年度(H09) (Jun.1997 - Mar.1998)
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記述 |
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