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M-MS. 1997年度(H09) >

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タイトル: Cat-CVD法によるゲート絶縁層の低温形成
著者: 一瀬, 晃之
著者(別表記): いちせ, てるひさ
キーワード: 触媒CVD法,ゲート絶縁層,TFT,SiN_x,SiO_2
Cat-CVD system,gate insulator,TFT,SiN_x,SiO_2
発行日: Mar-1998
記述: 
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士
タイトル(英語): Low-tempearture Formation of Gate Insulator Produced by a Cat-CVD System
著者(英語): Ichise, Teruhisa
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2435
出現コレクション:M-MS. 1997年度(H09) (Jun.1997 - Mar.1998)

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