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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1997年度(H09) >
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http://hdl.handle.net/10119/2506
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| タイトル: | 電界印加堆積法によるSiO2基板上への結晶化Si薄膜の形成 |
| 著者: | 稲垣, 大介 |
| 著者（別表記）: | いながき, だいすけ |
| キーワード: | Si,超高真空,電界印加堆積,電界効果,RHEED
Si,super high vacuum,electric field effect,RHEED |
| 発行日: | Mar-1998 |
| 記述: |
Supervisor:堀田 将
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of Crystallized Si Films on SiO2 Substrate by AppliedElectric Field during the Deposition |
| 著者（英語）: | Inagaki, Daisuke |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2506 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1997年度(H09) (Jun.1997 - Mar.1998)
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