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タイトル: S終端したGaAs上へのGeエピタキシャル成長
著者: 藤島, 達也
著者(別表記): ふじしま, たつや
キーワード: 酸化膜除去, 硫黄終端, Geエピタキシャル成長, pn反転
prevented oxidation,S-passivated,Ge epitaxial grow
発行日: Mar-1999
記述: 
山田省二
材料科学研究科
修士
タイトル(英語): Ge epitaxial growth on S-passivated GaAs by MBE
著者(英語): Fujishima, Tathuya
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2580
出現コレクション:M-MS. 平成10年度 (Jun.1998 - Mar.1999)

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