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M-MS. 1998年度(H10) >
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http://hdl.handle.net/10119/2580
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| タイトル: | S終端したGaAs上へのGeエピタキシャル成長 |
| 著者: | 藤島, 達也 |
| 著者（別表記）: | ふじしま, たつや |
| キーワード: | 酸化膜除去, 硫黄終端, Geエピタキシャル成長, pn反転
prevented oxidation,S-passivated,Ge epitaxial grow |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 記述: |
山田省二
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Ge epitaxial growth on S-passivated GaAs by MBE |
| 著者（英語）: | Fujishima, Tathuya |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2580 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1998年度(H10) (Jun.1998 - Mar.1999)
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記述 |
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