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タイトル: 狭バンドギャップHEMTを用いた電界効果スピン分極トランジスタの作製及び評価
著者: 佐藤, 祐喜
著者(別表記): さとう, ゆうき
キーワード: Rashba機構, スピン軌道相互作用, 狭バンドギャップHEMT
Rashba mechanism, spin-orbit interaction,narrow-ga
発行日: Mar-1999
記述: 
Supervisor:山田 省二
材料科学研究科
修士
タイトル(英語): Fabrication of spin-polarized field effect transistor innarrow-gap HEMT
著者(英語): Sato, Yuki
URI: http://hdl.handle.net/10119/2653
出現コレクション:M-MS. 平成10年度 (Jun.1998 - Mar.1999)

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