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M-MS. 1998年度(H10) >
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http://hdl.handle.net/10119/2653
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| タイトル: | 狭バンドギャップHEMTを用いた電界効果スピン分極トランジスタの作製及び評価 |
| 著者: | 佐藤, 祐喜 |
| 著者（別表記）: | さとう, ゆうき |
| キーワード: | Rashba機構, スピン軌道相互作用, 狭バンドギャップHEMT
Rashba mechanism, spin-orbit interaction,narrow-ga |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 記述: |
Supervisor:山田 省二
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Fabrication of spin-polarized field effect transistor innarrow-gap HEMT |
| 著者（英語）: | Sato, Yuki |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2653 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1998年度(H10) (Jun.1998 - Mar.1999)
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