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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1999年度(H11) >
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http://hdl.handle.net/10119/2654
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| タイトル: | 分子線エピタキシーによるGaAs低温成長過程のモンテカルロ・シミュレーション |
| 著者: | 小野田, 敦 |
| 著者（別表記）: | おのだ, あつし |
| キーワード: | 低温成長、RHEED強度振動、過剰As、モンテカルロ・シミュレーション
low tempurature growth,RHEED intensity oscillation |
| 発行日: | Sep-1999 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Monte Carlo simulation of molecular beam epitaxy duringlow temperature GaAs growth process |
| 著者（英語）: | Onoda, Atsushi |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2654 |
| 出現コレクション: | M-MS. 1999年度(H11) (Jun.1999 - Mar.2000)
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記述 |
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