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JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 1999年度(H11) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/2675

タイトル: 単結晶強誘電体 PZT 薄膜を用いたメモリ構造の作製
著者: 横山, 政司
著者（別表記）: よこやま, せいじ
発行日: Mar-2000
記述: 
Supervisor:堀田 將
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: 単結晶強誘電体 PZT 薄膜を用いたメモリ構造の作製
著者（英語）: Yokoyama, Seiji
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2675
出現コレクション:M-MS. 1999年度(H11) (Jun.1999 - Mar.2000)

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