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M-MS. 1999年度(H11) >

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タイトル: 金属 / 絶縁体トンネル接合トランジスタの室温動作
著者: 福島, 潔
著者(別表記): ふくしま, きよし
キーワード: シリコン酸化膜, 直接酸化, 低温形成, ゲート絶縁膜, 触媒CVD
SiO2, direct oxide, Low temperature, gate oxide, C
発行日: Mar-2000
記述: 
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士
タイトル(英語): 金属 / 絶縁体トンネル接合トランジスタの室温動作
著者(英語): Fukushima, Kiyoshi
URI: http://hdl.handle.net/10119/2717
出現コレクション:M-MS. 1999年度(H11) (Jun.1999 - Mar.2000)

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