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タイトル: 200℃以下でのGaAs層のMBE成長
著者: 向, 浩一郎
著者(別表記): むかい, こういちろう
キーワード: MBE, LT-GaAs, X線回折, 金属・絶縁体転位
MBE, LT-GaAs, X-ray diffraction, Metal-Insulator t
発行日: Mar-2002
記述: 
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
修士
タイトル(英語): Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs Layers Grown at Substrate Temperatures below 200℃
著者(英語): Mukai, Koichiro
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2890
出現コレクション:M-MS. 平成13年度 (Jun.2001 - Mar.2002)

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