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M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2001年度(H13) >
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http://hdl.handle.net/10119/2890
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| タイトル: | 200℃以下でのGaAs層のMBE成長 |
| 著者: | 向, 浩一郎 |
| 著者（別表記）: | むかい, こういちろう |
| キーワード: | MBE, LT-GaAs, X線回折, 金属・絶縁体転位
MBE, LT-GaAs, X-ray diffraction, Metal-Insulator t |
| 発行日: | Mar-2002 |
| 記述: |
Supervisor:大塚 信雄
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs Layers Grown at Suｂstrate Temperatures below 200℃ |
| 著者（英語）: | Mukai, Koichiro |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/2890 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2001年度(H13) (Jun.2001 - Mar.2002)
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記述 |
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| 1765abstract.pdf | | 15Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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