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i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2001年度(H13) >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/2916

タイトル: GaAsへのGeドーピングとpn接合の研究
著者: 八田谷, 洋一
著者（別表記）: やたがい, よういち
キーワード: エピタキシー, Ge, ドーピング, pn接合
MBE, Ge, doping, pn junction
発行日: Mar-2002
記述: 
Supervisor:山田　省二
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: The growth and estimation of Ge doped GaAs film by MBE
著者（英語）: Yatagai, Youichi
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/2916
出現コレクション:M-MS. 2001年度(H13) (Jun.2001 - Mar.2002)

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