|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2002年度(H14) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/3081
|
| タイトル: | シリコン窒化層導入による高品質シリコン窒化膜の形成に関する研究 |
| 著者: | 吉川, 明子 |
| 著者（別表記）: | きっかわ, あきこ |
| キーワード: | シリコン窒化膜, Cat-CVD, アンモニア分解種, C-V特性, 窒化処理, SiNx
silicon nitride, Cat-CVD, NH3 species, C-V, nitrid |
| 発行日: | Mar-2003 |
| 記述: |
Supervisor:松村 英樹
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Electrical properties of silicon nitride films deposited by catalytic chemical vapor deposition on catalytically nitrided Si(100) |
| 著者（英語）: | Kikkawa, Akiko |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3081 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2002年度(H14) (Jun.2002 - Mar.2003)
|
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
