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i20. 学位論文 >
M-MS. 修士（マテリアルサイエンス）・修士（材料科学） >
M-MS. 2004年度(H16) >

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タイトル: Cat-CVD法による高安定性a-Si TFTの作製
著者: 瀬里, 泰洋
著者（別表記）: せり, やすひろ
キーワード: 触媒化学気相成長法，非晶質薄膜トランジスタ、窒化シリコン膜
Cat-CVD, a-Si TFT, SiNx
発行日: Mar-2005
記述: 
Supervisor:松村　英樹
材料科学研究科
修士
タイトル（英語）: Fabrication of high stable a-Si TFTs by Cat-CVD method
著者（英語）: Seri, Yasuhiro　
言語: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/3177
出現コレクション:M-MS. 2004年度(H16) (Jun.2004 - Mar.2005)

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