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M-MS. 2004年度(H16) >
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http://hdl.handle.net/10119/3213
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| タイトル: | Ni/Ptゲートを用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの作製と評価 |
| 著者: | 針多, 崇行 |
| 著者（別表記）: | はりた, たかゆき |
| キーワード: | GaN、HFET、サブスレッショルド特性
GaN、HFET、Subthreshold characteristic |
| 発行日: | Mar-2005 |
| 記述: |
Supervisor:鈴木 寿一
材料科学研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistor with Ni/Pt Gate |
| 著者（英語）: | Harita, Takayuki |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3213 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2004年度(H16) (Jun.2004 - Mar.2005)
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