|
JAIST Repository >
c. マテリアルサイエンス研究科・マテリアルサイエンス系 >
c10. 学術雑誌論文等 >
c10-1. 雑誌掲載論文 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/3364
|
| タイトル: | Fabrication and characterization of C_<60> thin-film transistors with high field effect mobility |
| 著者: | Kobayashi, S
Takenobu, T
Mori, S
Fujiwara, A
Iwasa, Y |
| 発行日: | 2003-06 |
| 出版者: | AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 82 |
| 号: | 25 |
| 開始ページ: | 4581 |
| 終了ページ: | 4583 |
| DOI: | 10.1063/1.1577383 |
| 抄録: | We report an improvement in performance of C_<60> thin-film field-effect transistors (TFTs) fabricated by molecular-beam deposition. Devices, fabricated and characterized under a high vacuum without exposure to air, routinely showed current on/off ratios ＞10^8 and field-effect mobilities in the range of 0.5-0.3 cm^2/Vs. The mobility obtained is close to that derived from the photocurrent measurements on C_<60> thin films and comparable to a very high value among n-type organic TFTs. |
| Rights: | Copyright 2003 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in S. Kobayashi, T. Takenobu, S. Mori, A. Fujiwara and Y. Iwasa , Applied Physics Letters 82(25), 4581-4583 (2003) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/82/4581. |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3364 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| 131-11.pdf | | 187Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
