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http://hdl.handle.net/10119/3993
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| タイトル: | Hole-injection barrier in pentacene field-effect transistor with Au electrodes modified by C_16H_33SH |
| 著者: | Kawasaki, Naoko
Ohta, Yohei
Kubozono, Yoshihiro
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2007-09 |
| 出版者: | AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 91 |
| 号: | 12 |
| 開始ページ: | 123518-1 |
| 終了ページ: | 123518-3 |
| DOI: | 10.1063/1.2789699 |
| 抄録: | Field-effect transistor with thin films of pentacene has been fabricated with Au electrodes modified by 1-hexadecanethiol (C_16H_33SH), and the hole-injection barriers have been determined from the temperature dependence of output properties on the basis of the thermionic emission model for double Schottky barriers. The large tunneling barriers are formed by the insulating C_16H_33SH at the interfaces between the Au electrodes and pentacene thin films. |
| Rights: | Copyright 2007 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in N. Kawasaki, Y. Ohta, Y. Kubozono, and A. Fujiwara, Applied Physics Letters 91(12), 123518 (2007) and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/91/123518. |
| 資料タイプ: | Article |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/3993 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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