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タイトル: Influence of the beam irradiation condition with oblique incidence on crystallization of an Si film by a linearly polarized pulse laser
著者: Nakata, Yasunori
Kaki, Hirokazu
Horita, Susumu
発行日: 2002
出版者: Warrendale, Pa.; Materials Research Society
誌名: Materials Research Society Symposium - Proceedings
巻: 715
開始ページ: 199
終了ページ: 204
抄録: We investigated influence of the beam irradiation conditions with oblique incidence on crystallization of an Si film by a linearly polarized pulse laser in order to enlarge the periodic width of grain boundary. The irradiation conditions are fluence, pulse number and film thickness. We can obtain the periodic width of about 900 nm by increasing the incident angle to 25°. The experimental results suggest that the pulse number and the film thickness should be controlled properly as well as fluence in order to produce large grain stably for the oblique incidence. The detail of these conditions was discussed.
Rights: Copyright 2002 by the Materials Research Society. Materials Research Society, Yasunori Nakata, Hirokazu Kaki and Susumu Horita, MRS Symposium Proceedings(Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films--2002), 715, 2002, 199-204. http://www.mrs.org/s_mrs/index.asp
資料タイプ: Article
URI: http://hdl.handle.net/10119/4009
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

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