JAIST Repository >
c. マテリアルサイエンス研究科・マテリアルサイエンス系 >
c10. 学術雑誌論文等 >
c10-1. 雑誌掲載論文 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/4473

タイトル: Device characteristics of carbon nanotube transistor fabricated by direct growth method
著者: Inami, Nobuhito
Mohamed, Mohd Ambri
Shikoh, Eiji
Fujiwara, Akihiko
発行日: 2008-06-18
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 92
号: 24
開始ページ: 243115-1
終了ページ: 243115-3
DOI: 10.1063/1.2949075
抄録: We have fabricated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors (FETs) by direct growth of single-wall CNTs between the source and drain electrodes, and investigated their device characteristics. The FETs show ambipolar operation. The temperature and bias voltage dependence of device characteristics are consistent with device operation of the Schottky-type FET. The carrier injection barrier heights for both the electron and hole carriers show small values of 17-74 meV, without any additional specific treatment after device fabrication.
Rights: Copyright 2008 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in N. Inami, M.A. Ambri, E. Shikoh, and A. Fujiwara, Applied Physics Letters, 92(24), 243115 (2008) and may be found at http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/243115/1
URI: http://hdl.handle.net/10119/4473
資料タイプ: publisher
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
131-28.pdf251KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係