JAIST Repository >
c. マテリアルサイエンス研究科・マテリアルサイエンス系 >
c10. 学術雑誌論文等 >
c10-1. 雑誌掲載論文 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/4499

タイトル: Azimuthal angle dependence of optical second harmonic intensity from a vicinal GaAs(001) wafer
著者: Takebayashi, Motonari
Mizutani, Goro
Ushioda, Sukekatsu
キーワード: optical second harmonic generation
SHG
vicinal GaAs(001)
tilt angle
surface nonlinearity
発行日: 1997-01-01
出版者: Elsevier
誌名: Optics Communications
巻: 133
号: 1-6
開始ページ: 116
終了ページ: 122
DOI: 10.1016/S0030-4018(96)00491-9
抄録: We demonstrate that the tilt angle of a zinc blende type single crystal (001) wafer can be measured by optical second harmonic generation. The SH intensity patterns were analyzed for all four combinations of p- and s-polarized incidence and output, considering both the bulk and surface optical nonlinearities in the electric dipole approximation. We found that the measurement using s-incident polarization is particularly useful in determining the tilt angle of the crystal axes. The parameters determined by the present method agree well with those obtained by X-ray diffraction measurements. The [110] and [110] directions can be distinguished through the analysis of the p-incident and p-output SH intensity patterns.
Rights: NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. M. Takebayashi, G. Mizutani, and S. Ushioda, Optics Communications, 133(1-6), 1997, 116-122, http://dx.doi.org/10.1016/S0030-4018(96)00491-9
URI: http://hdl.handle.net/10119/4499
資料タイプ: author
出現コレクション:c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズ形式
120-13.pdf606KbAdobe PDF見る/開く

当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。

 


お問い合わせ先 : 北陸先端科学技術大学院大学 研究推進課図書館情報係