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http://hdl.handle.net/10119/4508
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| タイトル: | Field-effect transistors with thin films of perylene on SiO_2 and polyimide gate insulators |
| 著者: | Ohta, Toshio
Nagano, Takayuki
Ochi, Kenji
Kubozono, Yoshihiro
Fujiwara, Akihiko |
| 発行日: | 2006-03-08 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 88 |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 103506-1 |
| 終了ページ: | 103506-3 |
| DOI: | 10.1063/1.2182024 |
| 抄録: | Field-effect transistor (FET) devices have been fabricated with thin films of perylene on SiO_2 and polyimide gate insulators, and p-channel FET properties have been found in both FET devices. The perylene FET devices with SiO_2 and polyimide gate insulators exhibited field-effect mobility, μ, values of 7.0×10^<-3> and 3.7×10^<-4> cm^2 V^<-1> s^<-1>, respectively, at 300 K under vacuum of 10^<-6> Torr. These FET devices were found to operate under atmospheric condition after exposure to air. The μ value increased with increasing temperature from 160 to 280 K, showing a hopping carrier transport. |
| Rights: | Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in T. Ohta, T. Nagano, K. Ochi, Y. Kubozono, A. Fujiwara, Applied Physics Letters, 88(10), 103506 (2006) and may be found at http://link.aip.org/link/?APPLAB/88/103506/1 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4508 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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