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http://hdl.handle.net/10119/4607
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| タイトル: | Electric conductance through chemical bonding states being formed between a Si tip and a Si(111)-(7x7) surface by bias-voltage noncontact atomic force spectroscopy |
| 著者: | Arai, T.
Tomitori, M. |
| 発行日: | 2006-02-13 |
| 出版者: | American Physical Society |
| 誌名: | Physical Review B |
| 巻: | 73 |
| 号: | 7 |
| 開始ページ: | 073307-1 |
| 終了ページ: | 073307-4 |
| DOI: | 10.1103/PhysRevB.73.073307 |
| 抄録: | The change in electric conductance through bonding states being formed between a Si tip and a Si surface is examined by bias-voltage noncontact atomic force spectroscopy: current I and force interaction Δf (AFM cantilever resonance frequency shift) are simultaneously measured versus bias voltage V. A peak in I-V curves appears at close tip-sample separation over adatoms at the same V as a sharp peak in the Δf-V does. The peak possibly corresponds to channel formation through bonding states induced by changing V, leading to current saturation on tunnel barrier collapse with decreasing separation. |
| Rights: | T. Arai and M. Tomitori, Physical Review B, 73(7), 2006, 073307-1-073307-4. Copyright 2006 by the American Physical Society. http://link.aps.org/abstract/PRB/v73/e073307 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4607 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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