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http://hdl.handle.net/10119/4778
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| タイトル: | Binding Energy of the Electron-Hole Liquid in Type-II (GaAs)_m/(AlAs)_m Quantum Wells |
| 著者: | Inagaki, Akira
Katayama, Shin'ichi |
| キーワード: | semiconductor
quantum wells
type-II structure
electron-hole liquid
binding energy |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | 日本物理学会 |
| 誌名: | Journal of the Physical Society of Japan |
| 巻: | 72 |
| 号: | 6 |
| 開始ページ: | 1452 |
| 終了ページ: | 1457 |
| DOI: | 10.1143/JPSJ.72.1452 |
| 抄録: | The binding energy of quasi-two-dimensional electron-hole liquid (EHL) at zero temperature is calculated for type-II (GaAs)_m/(AlAs)_m (5 ≤m ≤13) quantum wells (QWs). The correlation energy is evaluated by adopting a random phase approximation of Hubbard. For comparison, we calculate the binding energy of EHL for type-I (GaAs)_m/(AlAs)_m (14 ≤m ≤20) QWs. It is demonstrated that the EHL in type-II GaAs/AlAs QWs is more stable state than exciton and biexciton at high excitation density, while the EHL is unstable in type-I GaAs/AlAs QWs.AR10 |
| Rights: | This is the author's version of the work. It is posted here by permission of The Physical Society of Japan. Copyright (C) 2003 The Physical Society of Japan. Akira Inagaki and Shin'ichi Katayama, Journal of the Physical Society of Japan, 72(6), 2003, 1452-1457. http://jpsj.ipap.jp/link?JPSJ/72/1452/ |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/4778 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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