|
JAIST Repository >
c. マテリアルサイエンス研究科・マテリアルサイエンス系 >
c10. 学術雑誌論文等 >
c10-1. 雑誌掲載論文 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/7892
|
| タイトル: | Low-flux elucidation of initial growth of Ge clusters deposited on Si(111)-7×7 observed by scanning tunneling microscopy |
| 著者: | Ansari, Z. A.
Arai, T.
Tomitori, M. |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | American Physical Society |
| 誌名: | Physical Review B |
| 巻: | 79 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 033302-1 |
| 終了ページ: | 033302-4 |
| DOI: | 10.1103/PhysRevB.79.033302 |
| 抄録: | Deposition of Ge on Si(111)-7×7 under very low Ge flux is examined using ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy; Ge atoms are deposited at 150 °C under a flux of ～0.005 or 0.05 ML/min. Initially Ge atoms are substituted for Si atoms on corner adatom sites of faulted half unit cells. At a Ge coverage of 0.08 ML under the lower flux, hollow-centered hexagonal Ge clusters with six protrusions are formed preferentially on faulted half unit cells, which are uniform and separated from other clusters. At the higher flux various types of clusters grow, frequently neighboring with others. This indicates that the low flux is needed to elucidate the stable type of Ge clusters grown on Si(111)-7×7. |
| Rights: | Z. A. Ansari, T. Arai, and M. Tomitori, Physical Review B, 79(3), 2009, 033302-1-033302-4. Copyright 2009 by the American Physical Society. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.79.033302 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/7892 |
| 資料タイプ: | publisher |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| PhysRevB_79_033302.pdf | | 361Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
