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http://hdl.handle.net/10119/7939
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タイトル: | 走査型プローブ顕微鏡にみる電圧印加のナノ力学的相互作用 |
著者: | 富取, 正彦 新井, 豊子 |
キーワード: | noncontact atomic force microscopy noncontact atomic force spectroscopy covalent bonding bias voltage silicon |
発行日: | 2008 |
出版者: | 日本表面科学会 |
誌名: | 表面科学 |
巻: | 29 |
号: | 4 |
開始ページ: | 239 |
終了ページ: | 245 |
抄録: | A novel surface spectroscopic method referred to itself as noncontact atomic force spectroscopy (nc-AFS) is presented, which is based on noncontact atomic force microscopy (nc-AFM) and scanning tunneling spectroscopy (STS) of the family of scanning probe microscopy (SPM). The interaction force and current are measured with sweeping bias voltage between a tip and a sample at a close tip-sample separation, and analyzed in terms of surface spectroscopy. The spectra obtained by the nc-AFS indicate that the resonance states, i. e., covalent bonding, between a Si tip and a Si sample can be formed by tuning the bias voltage, corresponding to the relative shift of energy levels of tip states and sample states. Moreover, the nc-AFS combined with current measurement exhibits potential of evaluating the collapse of tunneling barrier and analyzing the correlation between force interaction and electron conductance between two pieces of condensed matter in proximity. |
Rights: | Copyright (C) 2008 日本表面科学会. 富取正彦、新井豊子, 表面科学, 29(4), 2008, 239-245. |
URI: | http://hdl.handle.net/10119/7939 |
資料タイプ: | publisher |
出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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