|
JAIST Repository >
i. 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST) >
i20. 学位論文 >
D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2009年度(H21) >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/10119/8187
|
| タイトル: | Study of electronic states of GaAs layers doped with high concentrations of donor and acceptor impurities |
| 著者: | Islam, Abu Zafor Muhammad Touhidul |
| 発行日: | Jun-2009 |
| 記述: | Supervisor:Professor Dr. Nobuo Otsuka
マテリアルサイエンス研究科
博士 |
| タイトル（英語）: | Study of electronic states of GaAs layers doped with high concentrations of donor and acceptor impurities |
| 著者（英語）: | Islam, Abu Zafor Muhammad Touhidul |
| 言語: | eng |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/8187 |
| 出現コレクション: | D-MS. 2009年度(H21) (Jun.2009 - Mar.2010)
|
このアイテムのファイル:
| ファイル |
記述 |
サイズ | 形式 |
|---|
| abstract.pdf | | 170Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
|
当システムに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。
|
