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 M-MS. 修士(マテリアルサイエンス)・修士(材料科学) >
 M-MS. 2009年度(H21) >
 
        
        
        
            | このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/10119/8984 |  
 
| タイトル: | トップコンタクト型C60薄膜電界効果トランジスタにおけるデバイスの抵抗成分の評価 |  | 著者: | 末清, 雅人 |  | 著者(別表記): | すえきよ, まさと |  | キーワード: | 有機薄膜電界効果トランジスタ organic thin-film field-effect transistor
 C60
 C60
 デバイス抵抗
 debice resistance
 チャンネル膜厚
 channel thickness
 |  | 発行日: | Mar-2010 |  | 記述: | Supervisor:藤原 明比古 准教授 マテリアルサイエンス研究科
 修士
 |  | タイトル(英語): | Characterization of device resistance element in top-contact-type C60 thin-film field-effect transistor |  | 著者(英語): | Suekiyo, Masato |  | 言語: | jpn |  | URI: | http://hdl.handle.net/10119/8984 |  | 出現コレクション: | M-MS. 2009年度(H21) (Jun.2009 - Mar.2010) 
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 | このアイテムのファイル: | ファイル | 記述 | サイズ | 形式 | 
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