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M-MS. 2010年度(H22) >
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http://hdl.handle.net/10119/9723
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| タイトル: | 直接合成カーボンナノチューブトランジスタにおけるゲート絶縁膜の影響 |
| 著者: | 有延, 康 |
| 著者（別表記）: | ありのべ, やすし |
| キーワード: | カーボンナノチューブ, CNT電界効果トランジスタ, 直接合成法
CNT, CNT-FET, direct growth method |
| 発行日: | Mar-2011 |
| 記述: | Supervisor:鈴木 寿一
マテリアルサイエンス研究科
修士 |
| タイトル（英語）: | Effects of gate insulator thickness on characteristic of carbon nanotube field-effect transistors fabricated by direct growth method |
| 著者（英語）: | Arinobe, Yasushi |
| 言語: | jpn |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/9723 |
| 出現コレクション: | M-MS. 2010年度(H22) (Jun.2010 - Mar.2011)
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