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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10119/9807

Title: 有機半導体材料におけるオーミック接合の形成とキャリア輸送機構の解明
Other Titles: Formation of Ohmic hole injection in organic semiconductor films
Authors: 松島, 敏則
Authors(alternative): Matsushima, Toshinori
Keywords: 半導体
Issue Date: 9-Jun-2011
Abstract: 酸化インジウムスズ(ITO)陽極と有機層の界面に挿入した酸化モリブデン層の厚みを変化させたときのホールオンリー素子の電流密度-電圧特性を評価した。その結果、最適な厚みの酸化モリブデン層を用いることで、ITOと有機層の界面のホール注入障壁の影響が低減されオーミック接合が形成されることを見出した。オーミック接合を形成させたときの電流密度-電圧特性を空間電荷制限電流の理論式を用いて解析することで、様々な有機層のキャリア移動度を見積もった。 : Current density-voltage characteristics of organic hole-only devices were evaluated when thickness of molybdenum trioxide between an ITO anode and an organic layer was changed. We found that use of optimized molybdenum trioxide thickness induces formation of Ohmic hole injection resulting from reduced hole injection barrier. Hole mobilities of a variety of organic layers were able to be estimated by analyzing the current density-voltage characteristics with a space-charge-limited current theory.
Description: 若手研究(B)
課題番号: 21760005
Language: jpn
URI: http://hdl.handle.net/10119/9807
Appears in Collections:2010年度 (FY 2010)

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