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ダブリン・コア・フィールド言語
contributor.author大平, 圭介en_US
date.accessioned2011-07-07T05:21:45Z-
date.available2011-07-07T05:21:45Z-
date.issued2011-04-01en_US
identifier.urihttp://hdl.handle.net/10119/9808-
description若手研究(B)en_US
description研究期間:2009~2010en_US
description課題番号:21760580en_US
description研究者番号:40396510en_US
description研究分野:工学en_US
description科研費の分科・細目:材料工学・材料加工・処理en_US
description.abstract化学気相堆積(CVD)法と比べ安全なスパッタ法により形成した非晶質シリコン(a-Si)膜を、ミリ秒の桁の瞬間熱処理であるフラッシュランプアニール(FLA)で結晶化することにより、安価なガラス基板に熱損傷を与えることなく、多結晶Si(poly-Si)膜を形成する手法を確立した。CVD a-Si 膜の結晶化の際に必要なCr 密着層が無くても、Si 膜の剥離無く結晶化が可能であること、a-Si 膜中の欠陥密度が大きく異なるにも関わらず、同様の機構での結晶化が起こることなどを明らかにした。 : I have established the method of forming polycrystalline silicon (poly-Si) films without serious thermal damage onto glass substrates by crystallizing precursor amorphous Si (a-Si) films formed by sputtering, safer than chemical vapor deposition (CVD). I have clarified that sputtered a-Si films can be crystallized without Cr adhesion films and show a crystallization mechanism similar to that shown in CVD a-Si films.en_US
format.extent839030 bytes-
format.mimetypeapplication/pdf-
language.isojpen_US
subject熱処理en_US
subject結晶化en_US
subject多結晶シリコンen_US
subject太陽電池en_US
titleスパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成en_US
title.alternativeFormation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si filmsen_US
type.niiResearch Paperen_US
identifier.jtitle科学研究費補助金研究成果報告書en_US
identifier.spage1en_US
identifier.epage4en_US
rights.textversionpublisheren_US
language.iso639-2jpnen_US
contributor.alternativeOhdaira, Keisukeen_US
出現コレクション:2010年度 (FY 2010)

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