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http://hdl.handle.net/10119/10271
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| タイトル: | Influence of growth temperature on the selective area MOVPE of InAs nanowires on GaAs (111) B using N_2 carrier gas |
| 著者: | Akabori, M.
Sladek, K.
Hardtdegen, H.
Schäpers, Th.
Grützmacher, D. |
| キーワード: | Nanostructures
Metalorganic vapor phase epitaxy
Selective epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting III-V materials |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Journal of Crystal Growth |
| 巻: | 311 |
| 号: | 15 |
| 開始ページ: | 3813 |
| 終了ページ: | 3816 |
| DOI: | 10.1016/j.jcrysgro.2009.06.015 |
| 抄録: | The influence of temperature on selective area (SA) InAs nanowire growth was investigated formetal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using N_2 as the carrier gas and (111)B GaAs substrates.In contrast to the growth temperature range – below 600°C – reported for hydrogen ambient, theoptimal growth temperature – between 650° and 700°C was 100K higher than the optimal ones for H_2 carrier gas. At these temperatures nanowires with aspect ratios of about 80 and a symmetric hexagonal shape were obtained. The results found are attributed to the physical and chemical properties of the carrier gas. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. M. Akabori, K. Sladek, H. Hardtdegen, Th. Schäpers and D. Grützmacher, Journal of Crystal Growth, 311(15), 2009, 3813-3816, http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.06.015 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/10271 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | g10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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